MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
![]()
以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。图1（a）符号中的前头方向是从外向电，表示从P型材料（衬底）指身N型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。
国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均为单栅管），4DO1（双栅管）。它们的管脚排列（底视图）见图2。
MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。因此了厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G极与S极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。下面介绍检测方法。
1．准备工作
测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触MOSFET的管脚。最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。再把管脚分开，然后拆掉导线。
2．判定电极
将万用表拨于R×100档，首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极G。交换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为D极，红表笔接的是S极。日本生产的3SK系列产品，S极与管壳接通，据此很容易确定S极。
3．检查放大能力（跨导）
将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指触摸G极，表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。为区分之，可用手分别触摸G1、G2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。
目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。
|
<noscript> </noscript>
摘要：
一、概述
一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T。又由于晶闸管最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。
在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（谷称“死硅”）更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。 ...
摘要：
品 牌
用于车载/家用CD/VCD/DVD产品
品 牌
用于便携式DVD产品
ST
TDA7388
MTK
MTK1389
TDA7384
凌阳
SPHE8281D、8202D
TDA7386
台湾
T100A、T101、T102、T112
TDA7560
夏普
3Y31 &nbs...
摘要：
什么叫汽车功放
什么叫汽车功放?功率放大器，简称“功放”。2004年10月的《汽车导购》关于车载音响主机的介绍当中曾经提到，很多情况下主机的额定输出功率不能胜任带动整个音响系统的任务，这时就要在主机和播放设备之间加装功率放大器来补充所需的功率缺口，而功率放大器在整个音响系统当中起到了“组织、协调”...
标签：
摘要：
我是做电子元器件的销售，算算入这一行也快两年了吧，可是业绩一直不怎么好，有个词说得很好“要死不活”，呵呵。真的！我也一直在想这个问题，为什么会这样！今天说出来，还请各位采购如果您遇到的是我这样的业务会怎么办，帮我看看我现在有哪些地方做得不好！因为我真的很不明白。
做为销售，我也是尽力做好我所做的一切，最...
摘要：
据市场调研公司IMS Research的最新分析，预计未来五年全球电源管理市场平均每年增长10%以上。
IMS Research分析了五个关键的电压调节市场，以及其它电源控制器、驱动器IC和标准电源管理单元(PMU)市场。它预测该市场到2011年将接近150亿美元。该市场将受益于消费电子设备出货量增长、电源管理设计日益复杂和节能型产品越来越受重视。
“尽管2007年开局不...
摘要：
美国新出台的出口限制措施，几乎可以说达到苛刻的地步。哪怕你是平民老百姓的邮寄，如果寄出国外，照这个制度，如果有违禁出口的产品或技术，就是违法。对于元器件的出口限制，它通过以下几个方面来限制：
1、产品性能：全部美国技术为主或美国原产地的元器件，都有明确的ECCN出口分类控制号码，特别是工业和军用及航天级的集成电路，出口限制很严。稍微温度范围大一点的，就是限制级别的。
2、国家类别：美...
摘要：
美国政府部门制定的出口限制措施，要求任何科技产品和技术的出口，必须通过以下流程：
1、 确定商品控制清单的ECCN出口分类号码，如果是EAR99，则不受控制。美国政府规定，任何供应商和原厂都有义务提供产品的ECCN号码，不属于控制的一律标记为EAR99，属于控制的通过ECCN号码标记。ECCN号码为五位数基码：
第一位：数字，是商品控制类别序号，共计十类，对我们业务来说主...
摘要：
仙童半导体公司
许多电脑史学家都认为，要想了解美国硅谷的发展史，就必须了解早期的仙童半导体公司(Fairchild Semiconductor)。这家公司，曾经是世界上最大、最富创新精神和最令人振奋的半导体生产企业，为硅谷的成长奠定了坚实的基础。更重要的是，这家公司还为硅谷孕育了成千上万的技术人才和管理人才，它不愧是电子、电脑业界的“西点军校”，是名符其实的&ld...
摘要：
RCR1566SQ
SOP8
Dual N Channel Enhancement Mode
VDS 20V
Battery Charger
AO9926B
SI9926
FDS9926A
APM9926K
Low Threshold Voltage
VGS ...
摘要：
RCR1613SR
TO252
N Channel Enhancement Mode
VDS 25V
MainBoard
AOD472
SUD50N025-06P
PHD55N03
Low Threshold Voltage
VGS 20V
(V-cor...
摘要：
RCR1530SL
SOT23-6L
N Channel Enhancement Mode
VDS 30V
load switch
AO6408
Si3446DV
Low Threshold Voltage
VGS 20V
(PWM)
Low on-Resi...
摘要：
Part Number
Package
Feature
Rating
Application
CrossReference
RCR1514SH
SOT323
N Channel Enhancement Mode
VDS 30V
Interfacing
2SK3018
...
摘要：
FCE P/N
Other's P/N
Description
VDS(V)
VGS(V)
ID (A)
RDS(ON)-0V(mΩ)
RDS(ON)-4.5V(mΩ)
RDS(ON)-2.5V(mΩ)
RDS(ON)-1.8V(mΩ)
Package
RCR157...
摘要：
FCE P/N
Other's P/N
Description
VDS(V)
VGS(V)
ID (A)
RDS(ON)-0V(mΩ)
RDS(ON)-4.5V(mΩ)
RDS(ON)-2.5V(mΩ)
RDS(ON)-1.8V(mΩ)
Package
RCR153...
摘要：
低压MOS管
FCE P/N
Other's P/N
Description
VDS(V)
VGS(V)
ID (A)
RDS(ON)-10V(mΩ)
RDS(ON)-4.5V(mΩ)
RDS(ON)-2.5V(mΩ)
RDS(ON)-1.8V(mΩ)
Package
...
摘要：
教你们怎样识别IC旧贷翻方法 (转帖) 旧片拆机有两法： 1、热风法，此法是正规的做法，用于较干净、整齐的板特别是较有价值的SMD板。 2、“油炸”法，这确实是真的，用调制的高沸点矿物油来“炸”，极旧或很乱的垃圾板通常用此法。 在此要跟大家讲明白：旧片分离和重制过程中产生的废料若不妥善处理会严重污染环境（含大量难降解的有毒化合物和重金属），而“妥善处理...
订阅到
鲜果
抓虾
谷歌
